随著(zhe)人們對(duì)環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求，新能(néng)源汽車的市場需求逐漸增大，已然成(chéng)爲汽車發(fā)展的大趨勢，但是新能(néng)源汽車充電時間長(cháng)、續航裡(lǐ)程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此，需要更好(hǎo)的汽車驅動産品來實現“充電五分鍾續航百公裡(lǐ)”的效果。

針對(duì)這(zhè)一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能(néng)的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能(néng)夠提升新能(néng)源汽車充電速度和行駛動力，爲用戶帶來更高的效率和更好(hǎo)的體驗。

該模塊産品阻斷電壓可以達到1200V，可以滿足800V平台新能(néng)源汽車快速充電的需求，在5C倍率的充電速度下，可以實現5min充電0-80%。同時，該模塊峰值工況下支持850V電壓，輸出電流350-400Arms，輸出動能(néng)強，汽車加速快，這(zhè)對(duì)于追求速度與激情的消費者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發(fā)的精細溝槽 FS-V 技術開(kāi)發(fā)的這(zhè)款六單元拓撲模塊，可以爲車輛提供高電流密度、高短路能(néng)力和高阻斷電壓等級特性，從而爲嚴苛的環境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

與傳統的驅動模塊相比，士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高，可以將(jiāng)更多的功率輸出到驅動軸，提高車輛的加速性能(néng)和行駛距離。此外，該模塊還(hái)具有高短路能(néng)力和高阻斷電壓等級，可以保護逆變器免受突發(fā)電流和電壓的損害，從而延長(cháng)逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場截止5代（Field-Stop V）技術和最先進(jìn)的精細溝槽技術，較之前常規IGBT工藝具有更窄的台面(miàn)寬度，用于降低飽和壓降，提高器件的功率密度，縮小芯片的尺寸；且矽厚度隻有110um，可以使得器件-40度下耐壓大于1200V，大大降低了器件的飽和壓降和關斷損耗；其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數，具有較低的靜态損耗，以及低開(kāi)關損耗，可以增大模塊的輸出能(néng)力，提高整個電控系統的效率；采用導熱性優良的DBC，進(jìn)一步降低模塊熱阻，提高輸出能(néng)力。

（實測數據對(duì)比）

産品驗證數據顯示，該模塊的規格和同封裝下的輸出能(néng)力已經(jīng)超過(guò)了同類競品，達到了世界一流水平。這(zhè)也意味著(zhe)，士蘭600A/1200V IGBT模塊是一款創新産品，它可以爲混動和純電動汽車等應用帶來更高的燃油效率和更快的充電速度，進(jìn)而改善車輛的性能(néng)和駕駛體驗。